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光致發(fā)光檢測(cè)系統(tǒng)PL-MVC

光致發(fā)光檢測(cè)系統(tǒng)PL-MVC
概述
  • 光致發(fā)光檢測(cè)系統(tǒng)PL-MVC

產(chǎn)品名稱 : 光致發(fā)光檢測(cè)系統(tǒng)
產(chǎn)品型號(hào) :PL-MVC
產(chǎn)品說明
PL-MVC光致發(fā)光視覺檢測(cè)系統(tǒng)。

光致發(fā)光,或稱光激發(fā)熒光 (Photoluminescence, PL) 對(duì)于檢測(cè)發(fā)光半導(dǎo)體材料的光電特性是一個(gè)方便快速、非接觸式與無破壞性的技術(shù)。即由分析光致發(fā)光的光譜影像與數(shù)據(jù),可以得知摻雜之雜質(zhì)的種類與含量、能隙大小、少子壽命分布,鑒別材料的損傷、裂痕,以及缺陷分布等等,是做為材料的結(jié)構(gòu)成分、性能與質(zhì)量鑒別的工具。

PL經(jīng)常應(yīng)用于半導(dǎo)體硅材料、太陽能電池檢測(cè)、LED外延片等等材料的研究與檢測(cè)等領(lǐng)域。 

配備短波紅外相機(jī),波長(zhǎng)偵測(cè)范圍在900 nm ~ 1700 nm,涵蓋了目前所有太陽能電池材料的發(fā)光波段。
可偵測(cè)波長(zhǎng)范圍900 nm ~ 1700 nm包含硅能帶間的發(fā)光(~ 1200 nm, band-to-band luminescence)、硅缺陷發(fā)光(~ 1500 nm, dislocation luminescence)。
主要可從事三種模式的影像檢測(cè);分別是穿透式光致發(fā)光影像檢測(cè)(T-PLI)、反射式光致發(fā)光影像檢測(cè)(R-PLI)、以及紅外穿透影像檢測(cè)。
可更換不同視野的鏡頭來改變所拍攝到影像的空間分辨率。
配備自動(dòng)XY移動(dòng)平臺(tái)掃描成像,達(dá)到高空間分辨率與較寬廣的拍攝視野。
簡(jiǎn)單易用的程序接口。

 產(chǎn)品規(guī)格


  
項(xiàng)目
  
規(guī)格
短波紅外相機(jī)
1.      320 x 256 pixel
  
2.      偵測(cè)波長(zhǎng)范圍: 900 nm ~  1700 nm
  
3.      影像速度: 30Hz
  
4.      標(biāo)準(zhǔn)配備涵蓋視野156 mm x  156 mm的廣角鏡頭一個(gè),與38 mm x 28 mm視野的鏡頭一個(gè)。
激發(fā)光源
1.      激光一部, 808 nm,  30W
  
2.      50W光源一部,含1200 nm長(zhǎng)波濾鏡(Long Wavelength Pass Filter)
 
 
均光裝置
1.      反射式均光裝置x1,
  
2.      穿透式均光裝置x1
模塊
1.      可放置156 mm x  156 mm大小樣品
軟件規(guī)格
2.      可控制相機(jī)取相拍攝、儲(chǔ)存
  
1.      可做影像掃描拍攝
  
2.      可自動(dòng)將掃描拍攝結(jié)果成像、儲(chǔ)存。
  
 
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)
 1.        PC/LCD,Windows 操作系統(tǒng)
 
  
 


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